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LE25S20FD-AH

LE25S20FD-AH

Solo per riferimento

Numero parte LE25S20FD-AH
PNEDA Part # LE25S20FD-AH
Descrizione IC FLASH 2M SPI 40MHZ 8VSOIC
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.436
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 16 - giu 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

LE25S20FD-AH Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteLE25S20FD-AH
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
LE25S20FD-AH, LE25S20FD-AH Datasheet (Totale pagine: 22, Dimensioni: 224,7 KB)
PDFLE25S20FD-AH Datasheet Copertura
LE25S20FD-AH Datasheet Pagina 2 LE25S20FD-AH Datasheet Pagina 3 LE25S20FD-AH Datasheet Pagina 4 LE25S20FD-AH Datasheet Pagina 5 LE25S20FD-AH Datasheet Pagina 6 LE25S20FD-AH Datasheet Pagina 7 LE25S20FD-AH Datasheet Pagina 8 LE25S20FD-AH Datasheet Pagina 9 LE25S20FD-AH Datasheet Pagina 10 LE25S20FD-AH Datasheet Pagina 11

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LE25S20FD-AH Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria2Mb (256K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock40MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina3.5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione1.65V ~ 1.95V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-VSOIC

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

25ns

Tempo di accesso

25ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

S99PL127J0230 P

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MT53B384M32D2NP-062 WT:B

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPDDR4

Dimensione della memoria

12Gb (384M x 32)

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

1600MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.1V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

200-WFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

200-WFBGA (10x14.5)

MT48H4M16LFF4-10 IT

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

104MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

7ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-VFBGA (8x8)

MT46V256M4P-75:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

1Gb (256M x 4)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

750ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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