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LE24162LBXA-SH

LE24162LBXA-SH

Solo per riferimento

Numero parte LE24162LBXA-SH
PNEDA Part # LE24162LBXA-SH
Descrizione IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 6WLCSP
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.678
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

LE24162LBXA-SH Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteLE24162LBXA-SH
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
LE24162LBXA-SH, LE24162LBXA-SH Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 782,53 KB)
PDFLE24162LBXA-SH Datasheet Copertura
LE24162LBXA-SH Datasheet Pagina 2 LE24162LBXA-SH Datasheet Pagina 3 LE24162LBXA-SH Datasheet Pagina 4 LE24162LBXA-SH Datasheet Pagina 5 LE24162LBXA-SH Datasheet Pagina 6 LE24162LBXA-SH Datasheet Pagina 7 LE24162LBXA-SH Datasheet Pagina 8 LE24162LBXA-SH Datasheet Pagina 9 LE24162LBXA-SH Datasheet Pagina 10 LE24162LBXA-SH Datasheet Pagina 11

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LE24162LBXA-SH Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria16Kb (2K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso900ns
Tensione - Alimentazione1.7V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-XFBGA, WLCSP
Pacchetto dispositivo fornitore6-WLCSP (1.2x0.80)

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

8Kb (1K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

100ns

Tempo di accesso

100ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

48-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-PDIP

AS7C34098A-20JIN

Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-SOJ

AT24C02B-TSU-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

550ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-5

S29GL256N10FAI013

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

16Kb (2K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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