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L6393DTR

L6393DTR

Solo per riferimento

Numero parte L6393DTR
PNEDA Part # L6393DTR
Descrizione IC GATE DRIVER HALF BRDGE 14SO
Produttore STMicroelectronics
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.322
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

L6393DTR Risorse

Brand STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteL6393DTR
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
L6393DTR, L6393DTR Datasheet (Totale pagine: 19, Dimensioni: 456,73 KB)
PDFL6393DTR Datasheet Copertura
L6393DTR Datasheet Pagina 2 L6393DTR Datasheet Pagina 3 L6393DTR Datasheet Pagina 4 L6393DTR Datasheet Pagina 5 L6393DTR Datasheet Pagina 6 L6393DTR Datasheet Pagina 7 L6393DTR Datasheet Pagina 8 L6393DTR Datasheet Pagina 9 L6393DTR Datasheet Pagina 10 L6393DTR Datasheet Pagina 11

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L6393DTR Specifiche

ProduttoreSTMicroelectronics
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleSynchronous
Numero di driver2
Tipo di portaIGBT, N-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione10V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH1.1V, 1.9V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)290mA, 430mA
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Tempo di salita / discesa (tipico)75ns, 35ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore14-SO

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.9A, 2.3A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

40ns, 20ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

14-SOIC

IXDI602SITR

IXYS Integrated Circuits Division

Produttore

IXYS Integrated Circuits Division

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 35V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

7.5ns, 6.5ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

IXRFD615

IXYS-RF

Produttore

IXYS-RF

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8V ~ 18V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

15A, 15A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

4ns, 4ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-SMD, Flat Leads

Pacchetto dispositivo fornitore

6-SMD

LT1161CSW#PBF

Linear Technology/Analog Devices

Produttore

Linear Technology/Analog Devices

Serie

-

Configurazione guidata

High-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

4

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

8V ~ 48V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

-

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

-

Temperatura di esercizio

0°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

20-SOIC

IXDE504SIA

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 30V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 4A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

9ns, 8ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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