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KSH112GTM

KSH112GTM

Solo per riferimento

Numero parte KSH112GTM
PNEDA Part # KSH112GTM
Descrizione TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
Produttore ON Semiconductor
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Disponibile 3.744
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

KSH112GTM Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteKSH112GTM
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
KSH112GTM, KSH112GTM Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 175,04 KB)
PDFKSH112GTM_SB82051 Datasheet Copertura
KSH112GTM_SB82051 Datasheet Pagina 2 KSH112GTM_SB82051 Datasheet Pagina 3 KSH112GTM_SB82051 Datasheet Pagina 4 KSH112GTM_SB82051 Datasheet Pagina 5 KSH112GTM_SB82051 Datasheet Pagina 6 KSH112GTM_SB82051 Datasheet Pagina 7 KSH112GTM_SB82051 Datasheet Pagina 8

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KSH112GTM Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)2A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)100V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic3V @ 40mA, 4A
Corrente - Taglio collettore (Max)20µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 2A, 3V
Potenza - Max1.75W
Frequenza - Transizione25MHz
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitoreD-Pak

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

500nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

125MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

ZTX551

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

350mV @ 15mA, 150mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

E-Line-3

Pacchetto dispositivo fornitore

E-Line (TO-92 compatible)

BCX56H6359XTMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

80V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT89

BC858CLT3G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

BC33725TFR

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

45V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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