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KSB601Y

KSB601Y

Solo per riferimento

Numero parte KSB601Y
PNEDA Part # KSB601Y
Descrizione TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220
Produttore ON Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.240
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

KSB601Y Risorse

Brand ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteKSB601Y
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
KSB601Y, KSB601Y Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 48,83 KB)
PDFKSB601OTU Datasheet Copertura
KSB601OTU Datasheet Pagina 2 KSB601OTU Datasheet Pagina 3 KSB601OTU Datasheet Pagina 4 KSB601OTU Datasheet Pagina 5 KSB601OTU Datasheet Pagina 6

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KSB601Y Specifiche

ProduttoreON Semiconductor
Serie-
Tipo di transistorPNP - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)5A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)100V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 3mA, 3A
Corrente - Taglio collettore (Max)10µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce5000 @ 3A, 2V
Potenza - Max1.5W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220-3

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

175mV @ 400mA, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

Potenza - Max

1.1W

Frequenza - Transizione

55MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-6

MJW3281AG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

230V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2V @ 1A, 10A

Corrente - Taglio collettore (Max)

50µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 7A, 5V

Potenza - Max

200W

Frequenza - Transizione

30MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

BCW60DE6327HTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

32V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

550mV @ 1.25mA, 50mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

20nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

380 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

330mW

Frequenza - Transizione

250MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

2SA1837(PAIO,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

230V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

70MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

2A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

10V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 500mA, 1V

Potenza - Max

900mW

Frequenza - Transizione

150MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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