KBP08M-9E4/51
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| Numero parte | KBP08M-9E4/51 |
| PNEDA Part # | KBP08M-9E4-51 |
| Descrizione | BRIDGE RECT 1P 800V 1.5A KBPM |
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.736 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida) |
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KBP08M-9E4/51 Risorse
| Brand | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | KBP08M-9E4/51 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori a ponte |
| Datasheet |
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KBP08M-9E4/51 Specifiche
| Produttore | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Single Phase |
| Tecnologia | Standard |
| Tensione - Picco inverso (Max) | 800V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1.5A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1.57A |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | 4-SIP, KBPM |
| Pacchetto dispositivo fornitore | KBPM |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Single Phase Tecnologia Standard Tensione - Picco inverso (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 2.3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1V @ 2A Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 4-SIP, GBU Pacchetto dispositivo fornitore GBU |
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Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tecnologia - Tensione - Picco inverso (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
