JANTXV2N6798
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| Numero parte | JANTXV2N6798 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Part # | JANTXV2N6798 | ||||||||||||||||||
| Descrizione | MOSFET N-CH | ||||||||||||||||||
| Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Prezzo unitario |
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| Disponibile | 422 | ||||||||||||||||||
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Consegna stimata | mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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JANTXV2N6798 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | JANTXV2N6798 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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JANTXV2N6798 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/557 |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 5.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42.07nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-205AF (TO-39) |
| Pacchetto / Custodia | TO-205AF Metal Can |
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