JANTXV2N6766
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Numero parte | JANTXV2N6766 | ||||||||||||||||||
PNEDA Part # | JANTXV2N6766 | ||||||||||||||||||
Descrizione | MOSFET N-CH | ||||||||||||||||||
Produttore | Microsemi | ||||||||||||||||||
Prezzo unitario |
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Disponibile | 55 | ||||||||||||||||||
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
Consegna stimata | apr 29 - mag 4 (Scegli Spedizione rapida) | ||||||||||||||||||
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JANTXV2N6766 Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | JANTXV2N6766 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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JANTXV2N6766 Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | Military, MIL-PRF-19500/543 |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3 |
Pacchetto / Custodia | TO-204AE |
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