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JANTXV2N4957UB

JANTXV2N4957UB

Solo per riferimento

Numero parte JANTXV2N4957UB
PNEDA Part # JANTXV2N4957UB
Descrizione RF TRANS PNP 30V 30MA UB
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.544
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JANTXV2N4957UB Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJANTXV2N4957UB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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JANTXV2N4957UB Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorPNP
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)30V
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)3.5dB @ 450MHz
Guadagno25dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30mA
Temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreUB

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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

10.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Guadagno

18dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-143B

0105-50

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

65V

Frequenza - Transizione

100MHz ~ 500MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8.5dB ~ 10dB

Potenza - Max

140W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

7A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

55JT

Pacchetto dispositivo fornitore

55JT

MAX2601ESA-T

Maxim Integrated

Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

1GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

Guadagno

11.6dB

Potenza - Max

6.4W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1.2A

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6.5V

Frequenza - Transizione

15GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz

Guadagno

15dB ~ 22dB

Potenza - Max

188mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 2V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

AT-42036-BLKG

Broadcom

Produttore

Broadcom Limited

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

Guadagno

10dB ~ 13.5dB

Potenza - Max

600mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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