JANTXV1N6392
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| Numero parte | JANTXV1N6392 |
| PNEDA Part # | JANTXV1N6392 |
| Descrizione | DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 4.860 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 9 - mag 14 (Scegli Spedizione rapida) |
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JANTXV1N6392 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTXV1N6392 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JANTXV1N6392 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/554 |
| Tipo di diodo | Schottky |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 45V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 54A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 510mV @ 10A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 45V |
| Capacità @ Vr, F | 3000pF @ 5V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-203AB (DO-5) |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore Comchip Technology Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 200V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 150ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 200V Capacità @ Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOD-123T Pacchetto dispositivo fornitore Mini SMA/SOD-123 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Diodes Incorporated Serie TrenchSBR Tipo di diodo Super Barrier Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 20A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 700mV @ 20A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 300µA @ 100V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI5060-8 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Silicon Carbide Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 68A (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 20A Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 0ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 400µA @ 1200V Capacità @ Vr, F 1135pF @ 0V, 1MHz Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Central Semiconductor Corp Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1000V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 100ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 1000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-214AB, SMC Pacchetto dispositivo fornitore SMC Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 175°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 40V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 530mV @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 2mA @ 40V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-204AR, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-204AR Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
