JANTXV1N4150UR-1
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| Numero parte | JANTXV1N4150UR-1 |
| PNEDA Part # | JANTXV1N4150UR-1 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.560 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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JANTXV1N4150UR-1 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JANTXV1N4150UR-1 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JANTXV1N4150UR-1 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/231 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 50V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 200mA (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
| Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 50V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-213AA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
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Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 100V Corrente - Media Rettificata (Io) 3A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 950mV @ 3A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V Capacità @ Vr, F 80pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
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