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JANTX2N7370

JANTX2N7370

Solo per riferimento

Numero parte JANTX2N7370
PNEDA Part # JANTX2N7370
Descrizione TRANS NPN DARL 100V 12A TO254
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.634
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JANTX2N7370 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJANTX2N7370
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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JANTX2N7370 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/624
Tipo di transistorNPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)12A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)100V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic3V @ 120mA, 12A
Corrente - Taglio collettore (Max)1mA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce1000 @ 6A, 3V
Potenza - Max100W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-254AA

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JANTX2N3743

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/397

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.2V @ 3mA, 30mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

250nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 30mA, 10V

Potenza - Max

1W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-39 (TO-205AD)

MJE13005-BP

Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 500mA, 2A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Potenza - Max

1.5W

Frequenza - Transizione

5MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

BC309CBU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 5mA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

15nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

380 @ 2mA, 5V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

130MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

MPSA13ZL1

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 100µA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

125MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

2SD2257(CANO,A,Q)

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

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Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

100V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 1.5mA, 1.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

2000 @ 2A, 2V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

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Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

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Through Hole

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