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JANTX2N4416AUB

JANTX2N4416AUB

Solo per riferimento

Numero parte JANTX2N4416AUB
PNEDA Part # JANTX2N4416AUB
Descrizione JFET N-CH 35V 0.3W 4SMD
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.554
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 6 - mag 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JANTX2N4416AUB Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJANTX2N4416AUB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - JFET

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JANTX2N4416AUB Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FETN-Channel
Tensione - Guasto (V (BR) GSS)35V
Tensione Drain to Source (Vdss)35V
Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)15mA @ 15V
Corrente assorbita (Id) - Max-
Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id6V @ 1nA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4pF @ 15V
Resistenza - RDS (On)-
Potenza - Max300mW
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore4-SMD

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-

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30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

1.5mA @ 15V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

800mV @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

300 Ohms

Potenza - Max

225mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

10mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

10V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

75 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

40V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

4mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

2V @ 10nA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

30V

Tensione Drain to Source (Vdss)

-

Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)

5mA @ 20V

Corrente assorbita (Id) - Max

-

Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

5V @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 15V

Resistenza - RDS (On)

150 Ohms

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Tensione - Guasto (V (BR) GSS)

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Corrente assorbita (Id) - Max

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Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id

100mV @ 1µA

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5pF @ 2V

Resistenza - RDS (On)

-

Potenza - Max

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Temperatura di esercizio

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