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JANTX1N6674R

JANTX1N6674R

Solo per riferimento

Numero parte JANTX1N6674R
PNEDA Part # JANTX1N6674R
Descrizione DIODE GEN PURP 500V 15A D5D
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.898
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JANTX1N6674R Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJANTX1N6674R
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Array

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JANTX1N6674R Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/617
Configurazione diodi1 Pair Common Cathode
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)500V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)15A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.55V @ 20A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)35ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr5mA @ 400V
Temperatura di esercizio - Giunzione-
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-254

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Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

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Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

880mV @ 20A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

4.5µA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

10A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

550mV @ 10A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 40V

Temperatura di esercizio - Giunzione

150°C (Max)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Configurazione diodi

1 Pair Common Anode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

200A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

990mV @ 200A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

6mA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Configurazione diodi

1 Pair Common Cathode

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

100V

Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo)

30A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

790mV @ 30A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 100V

Temperatura di esercizio - Giunzione

-40°C ~ 150°C

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Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

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Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 170V

Temperatura di esercizio - Giunzione

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