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JANTX1N4946

JANTX1N4946

Solo per riferimento

Numero parte JANTX1N4946
PNEDA Part # JANTX1N4946
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
Produttore Microsemi
Prezzo unitario
1 ---------- $123,9395
50 ---------- $118,1298
100 ---------- $112,3201
200 ---------- $106,5105
400 ---------- $101,6691
500 ---------- $96,8277
Disponibile 6.514
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JANTX1N4946 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJANTX1N4946
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli

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JANTX1N4946 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/359
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media Rettificata (Io)1A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.3V @ 1A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)250ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr1µA @ 600V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaA, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore-
Temperatura di esercizio - Giunzione-65°C ~ 175°C

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Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.6A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 2A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.2µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

13pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-220AA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-220AA (SMP)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

CDBA140L-G

Comchip Technology

Produttore

Comchip Technology

Serie

-

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

40V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

400mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

1mA @ 40V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-214AC, SMA

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-214AC (SMA)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-20°C ~ 80°C

1SS385FV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Tipo di diodo

-

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

-

Corrente - Media Rettificata (Io)

-

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

-

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Temperatura di esercizio - Giunzione

-

S1KLHRHG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

800V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

1.8µs

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 800V

Capacità @ Vr, F

9pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-219AB

Pacchetto dispositivo fornitore

Sub SMA

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

JAN1N5819UR-1

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/586

Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

45V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

490mV @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

50µA @ 45V

Capacità @ Vr, F

70pF @ 5V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

DO-213AB, MELF (Glass)

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-213AB (MELF, LL41)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 125°C

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