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JANSR2N7389

JANSR2N7389

Solo per riferimento

Numero parte JANSR2N7389
PNEDA Part # JANSR2N7389
Descrizione P CHANNEL MOSFET TO-39
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.740
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 28 - lug 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JANSR2N7389 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJANSR2N7389
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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JANSR2N7389 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/630
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.5A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs350mOhm @ 6.5A, 12V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45nC @ 12V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)25W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-205AF (TO-39)
Pacchetto / CustodiaTO-205AF Metal Can

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 5V

Vgs (massimo)

±18V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1440pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

143A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 69A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

414nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

18500pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

679W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOTOP®

Pacchetto / Custodia

ISOTOP

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Vishay Siliconix

Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.2Ohm @ 3.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

175V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

150A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

155nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

830W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1996pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

90W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

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