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JANSR2N2920U

JANSR2N2920U

Solo per riferimento

Numero parte JANSR2N2920U
PNEDA Part # JANSR2N2920U
Descrizione RH SMALL-SIGNAL BJT
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.670
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JANSR2N2920U Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJANSR2N2920U
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Array

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JANSR2N2920U Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/355
Tipo di transistor2 NPN (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30mA
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic300mV @ 100µA, 1mA
Corrente - Taglio collettore (Max)10µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce300 @ 1mA, 5V
Potenza - Max350mW
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore6-SMD

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PBSS4112PAN,115

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

120V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

120mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 500mA, 2V

Potenza - Max

510mW

Frequenza - Transizione

120MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-UDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-HUSON-EP (2x2)

ZXT12N20DXTA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3.5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 50mA, 3.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 1A, 2V

Potenza - Max

1.04W

Frequenza - Transizione

112MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-MSOP

ZXTD618MCTA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo di transistor

2 NPN (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 125mA, 4.5A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

300 @ 200mA, 2V

Potenza - Max

1.7W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

W-DFN3020-8

2N3810A

Central Semiconductor Corp

Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 100µA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

Potenza - Max

600mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-78-6 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-78-6

JANTXV2N3810

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/336

Tipo di transistor

2 PNP (Dual)

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

10µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

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