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JAN2N5685

JAN2N5685

Solo per riferimento

Numero parte JAN2N5685
PNEDA Part # JAN2N5685
Descrizione TRANS NPN 60V 50A TO-3
Produttore Microsemi
Prezzo unitario
1 ---------- $2.119,5004
50 ---------- $2.020,1488
100 ---------- $1.920,7973
200 ---------- $1.821,4457
400 ---------- $1.738,6527
500 ---------- $1.655,8597
Disponibile 470
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 17 - mag 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JAN2N5685 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJAN2N5685
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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JAN2N5685 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/464
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic5V @ 10A, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)500µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce15 @ 25A, 2V
Potenza - Max300W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-204AA, TO-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3 (TO-204AA)

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

300V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 20mA, 10V

Potenza - Max

900mW

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92MOD

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Produttore

Micro Commercial Co

Serie

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Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

800mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

25V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

200nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 100mA, 1V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

260MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

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Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 100µA, 1mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

2nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

225 @ 10mA, 5V

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-18

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 800mA, 4A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 3V

Potenza - Max

15W

Frequenza - Transizione

50MHz

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Produttore

ON Semiconductor

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Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

112 @ 50mA, 1V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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