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JAN2N5665

JAN2N5665

Solo per riferimento

Numero parte JAN2N5665
PNEDA Part # JAN2N5665
Descrizione TRANS NPN 300V 5A TO-66
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.272
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JAN2N5665 Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJAN2N5665
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo

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JAN2N5665 Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
SerieMilitary, MIL-PRF-19500/455
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)5A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)300V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1V @ 1A, 5A
Corrente - Taglio collettore (Max)200nA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce25 @ 1A, 5V
Potenza - Max2.5W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-213AA, TO-66-2
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-66 (TO-213AA)

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Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

230V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

1µA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

70MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220NIS

JANTX2N2906AUB

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/291

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 10V

Potenza - Max

500mW

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

3-SMD, No Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

UB

TIP50

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

400V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 200mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 300mA, 10V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

10MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

BCP55H6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 50mA, 500mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 150mA, 2V

Potenza - Max

2W

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

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TTC1949-GR,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

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