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JAN2N4957UB

JAN2N4957UB

Solo per riferimento

Numero parte JAN2N4957UB
PNEDA Part # JAN2N4957UB
Descrizione RF TRANS PNP 30V 30MA UB
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.726
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

JAN2N4957UB Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteJAN2N4957UB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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JAN2N4957UB Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo di transistorPNP
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)30V
Frequenza - Transizione-
Figura di rumore (dB Typ @ f)3.5dB @ 450MHz
Guadagno25dB
Potenza - Max200mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)30mA
Temperatura di esercizio-65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia3-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitoreUB

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Produttore

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

600MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

225mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

CPH6003A-TL-E

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

7GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Guadagno

9dB

Potenza - Max

800mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

6-CPH

KSC2755OMTF

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

600MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB @ 200MHz

Guadagno

20dB ~ 23dB

Potenza - Max

150mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

90 @ 3mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3 (TO-236)

44022H

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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