JAN1N6631US
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| Numero parte | JAN1N6631US |
| PNEDA Part # | JAN1N6631US |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.588 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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JAN1N6631US Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JAN1N6631US |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JAN1N6631US Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 1100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1.4A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 1.4A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 60ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4µA @ 1100V |
| Capacità @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | E-MELF |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-5B |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1500V Corrente - Media Rettificata (Io) 10A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 6A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 175ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 100µA @ 1500V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/585 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 880V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.55V @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 500nA @ 880V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SQ-MELF, A Pacchetto dispositivo fornitore D-5A Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 50V Corrente - Media Rettificata (Io) 16A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 750mV @ 16A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 1mA @ 50V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Pacchetto dispositivo fornitore TO-263AB Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 150°C |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo di diodo Super Barrier Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 20V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 450mV @ 8A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 500µA @ 20V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerDI™ 5 Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI™ 5 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
