JAN1N6626US
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| Numero parte | JAN1N6626US |
| PNEDA Part # | JAN1N6626US |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.888 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | apr 28 - mag 3 (Scegli Spedizione rapida) |
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JAN1N6626US Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JAN1N6626US |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JAN1N6626US Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/590 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 220V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 1.75A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 1.2A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 220V |
| Capacità @ Vr, F | 40pF @ 10V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SQ-MELF, E |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-5B |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie - Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 60A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.5V @ 60A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 37ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 250µA @ 400V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 [B] Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
