JAN1N3910
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| Numero parte | JAN1N3910 |
| PNEDA Part # | JAN1N3910 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 100V 50A DO5 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.304 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 20 - lug 25 (Scegli Spedizione rapida) |
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JAN1N3910 Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | JAN1N3910 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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JAN1N3910 Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | Military, MIL-PRF-19500/308 |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 50A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 50A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 200ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 15µA @ 100V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Stud Mount |
| Pacchetto / Custodia | DO-203AB, DO-5, Stud |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie HEXFRED® Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 8A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 3.3V @ 8A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 95ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 1200V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-247-2 Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AC Modified Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Tipo di diodo Avalanche Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 1200V Corrente - Media Rettificata (Io) 250mA (DC) Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 2.4V @ 200mA Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 300ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 2µA @ 1000V Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia SOD-57, Axial Pacchetto dispositivo fornitore SOD-57 Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 4A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.28V @ 4A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 50ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F 65pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia DO-201AD, Axial Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
Produttore Taiwan Semiconductor Corporation Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 400V Corrente - Media Rettificata (Io) 5A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 5A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 35ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 10µA @ 400V Capacità @ Vr, F 70pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-220-2 Full Pack Pacchetto dispositivo fornitore ITO-220AC Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 150°C |
Produttore Microsemi Corporation Serie Military, MIL-PRF-19500/586 Tipo di diodo Schottky Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 45V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 490mV @ 1A Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr 50µA @ 45V Capacità @ Vr, F 70pF @ 5V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia DO-213AB, MELF (Glass) Pacchetto dispositivo fornitore DO-213AB (MELF, LL41) Temperatura di esercizio - Giunzione -65°C ~ 125°C |
