J2A080GX0/T0BG295,
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| Numero parte | J2A080GX0/T0BG295, |
| PNEDA Part # | J2A080GX0-T0BG295 |
| Descrizione | TRANSISTOR JFET 8PLLCC |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.100 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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J2A080GX0/T0BG295 Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | J2A080GX0/T0BG295, |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
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J2A080GX0/T0BG295 Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | - |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | - |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 25V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 10mA @ 15V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 500mV @ 1µA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) 18 Ohms Potenza - Max 310mW Temperatura di esercizio 135°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Pacchetto dispositivo fornitore TO-92-3 |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 4mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max 10mA Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 5V @ 0.5nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4pF @ 10V Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max 250mW Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23 (TO-236AB) |
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