J2A020YXS/T0BY425,
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| Numero parte | J2A020YXS/T0BY425, |
| PNEDA Part # | J2A020YXS-T0BY425 |
| Descrizione | TRANSISTOR JFET 8PLLCC |
| Produttore | NXP |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.478 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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J2A020YXS/T0BY425 Risorse
| Brand | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | J2A020YXS/T0BY425, |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - JFET |
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J2A020YXS/T0BY425 Specifiche
| Produttore | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Tipo FET | - |
| Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | - |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | - |
| Corrente assorbita (Id) - Max | - |
| Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Resistenza - RDS (On) | - |
| Potenza - Max | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
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Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET N-Channel Tensione - Guasto (V (BR) GSS) 30V Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 200mA @ 10V Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id 1.5V @ 3nA Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 0V Resistenza - RDS (On) 7 Ohms Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-206AC, TO-52-3 Metal Can Pacchetto dispositivo fornitore TO-206AC (TO-52) |
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Produttore Vishay Siliconix Serie - Tipo FET - Tensione - Guasto (V (BR) GSS) - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) - Corrente assorbita (Id) - Max - Tensione - Taglio (VGS spento) @ Id - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Resistenza - RDS (On) - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia TO-71-6 Pacchetto dispositivo fornitore TO-71 |
