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IXYH40N65C3D1

IXYH40N65C3D1

Solo per riferimento

Numero parte IXYH40N65C3D1
PNEDA Part # IXYH40N65C3D1
Descrizione IGBT 650V 80A 300W TO247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.580
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 22 - mag 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXYH40N65C3D1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXYH40N65C3D1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo

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IXYH40N65C3D1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieGenX3™, XPT™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)650V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)80A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)180A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.35V @ 15V, 40A
Potenza - Max300W
Switching Energy830µJ (on), 360µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge66nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C23ns/110ns
Condizione di test400V, 30A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)120ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Potenza - Max

105W

Switching Energy

236µJ (on), 290µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

24nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/118ns

Condizione di test

800V, 3A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Pacchetto dispositivo fornitore

IPAK (TO-251)

Produttore

IXYS

Serie

HiPerFAST™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

200A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

Potenza - Max

400W

Switching Energy

4.7mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

135nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/350ns

Condizione di test

720V, 50A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

200ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AD (IXGH)

RJH60F3DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.82V @ 15V, 20A

Potenza - Max

178.5W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

44ns/65ns

Condizione di test

400V, 30A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

90ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247A

IRGS4620DTRLPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

32A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

Potenza - Max

140W

Switching Energy

75µJ (on), 225µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

25nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

31ns/83ns

Condizione di test

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

68ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

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Renesas Electronics America

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

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Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

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Pacchetto / Custodia

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