IXTX110N20L2
Solo per riferimento
| Numero parte | IXTX110N20L2 |
| PNEDA Part # | IXTX110N20L2 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.830 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IXTX110N20L2 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | IXTX110N20L2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IXTX110N20L2 Datasheet
- where to find IXTX110N20L2
- IXYS
- IXYS IXTX110N20L2
- IXTX110N20L2 PDF Datasheet
- IXTX110N20L2 Stock
- IXTX110N20L2 Pinout
- Datasheet IXTX110N20L2
- IXTX110N20L2 Supplier
- IXYS Distributor
- IXTX110N20L2 Price
- IXTX110N20L2 Distributor
IXTX110N20L2 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | Linear L2™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 55A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 3mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 500nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 23000pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 960W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PLUS247™-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 2.7A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 950mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SC-70-6 (SOT-363) Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Produttore Infineon Technologies Serie CoolMOS™ P7 Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 600V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 360mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 140µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 555pF @ 400V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 22W (Tc) Temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220 Full Pack Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 28A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 10.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 160nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4700pF @ 40V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 5.2W (Ta), 83.3W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Pacchetto / Custodia PowerPAK® SO-8 |
Produttore IXYS Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 300V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 54A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-263 (IXTA) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore Toshiba Semiconductor and Storage Serie U-MOSVIII-H Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10500pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 45W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220SIS Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
