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IXTL2X220N075T

IXTL2X220N075T

Solo per riferimento

Numero parte IXTL2X220N075T
PNEDA Part # IXTL2X220N075T
Descrizione MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.192
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXTL2X220N075T Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXTL2X220N075T
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
IXTL2X220N075T, IXTL2X220N075T Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 66,1 KB)
PDFIXTL2X220N075T Datasheet Copertura
IXTL2X220N075T Datasheet Pagina 2

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IXTL2X220N075T Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieTrenchMV™
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs165nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds7700pF @ 25V
Potenza - Max150W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaISOPLUSi5-Pak™
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUSi5-Pak™

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Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo FET

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

50A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

97nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5800pF @ 25V

Potenza - Max

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

ISOPLUS-DIL™

Pacchetto dispositivo fornitore

ISOPLUS-DIL™

QH8K51TR

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

325mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 25V

Potenza - Max

1.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

TSMT8

SI4200DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

415pF @ 13V

Potenza - Max

2.8W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

SI5944DU-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

112mOhm @ 3.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 20V

Potenza - Max

10W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

PowerPAK® ChipFET™ Dual

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Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

500V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

90A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 45A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

246nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11200pF @ 25V

Potenza - Max

694W

Temperatura di esercizio

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