IXTL2X180N10T
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| Numero parte | IXTL2X180N10T |
| PNEDA Part # | IXTL2X180N10T |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.812 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXTL2X180N10T Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXTL2X180N10T |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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IXTL2X180N10T Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | Trench™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.4mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 151nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6900pF @ 25V |
| Potenza - Max | 150W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | ISOPLUSi5-Pak™ |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUSi5-Pak™ |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 294mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 24.5pF @ 20V Potenza - Max 250mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563 |
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