IXTK60N50L2
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| Numero parte | IXTK60N50L2 |
| PNEDA Part # | IXTK60N50L2 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 500V 60A TO-264 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.984 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTK60N50L2 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXTK60N50L2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IXTK60N50L2 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | Linear L2™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 500V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 610nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 24000pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 960W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-264 (IXTK) |
| Pacchetto / Custodia | TO-264-3, TO-264AA |
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Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 11µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1600pF @ 30V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 36W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
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