IXTH98N20T
Solo per riferimento
| Numero parte | IXTH98N20T |
| PNEDA Part # | IXTH98N20T |
| Descrizione | MOSFET N-CH 200V 98A TO-247 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.286 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IXTH98N20T Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | IXTH98N20T |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IXTH98N20T Datasheet
- where to find IXTH98N20T
- IXYS
- IXYS IXTH98N20T
- IXTH98N20T PDF Datasheet
- IXTH98N20T Stock
- IXTH98N20T Pinout
- Datasheet IXTH98N20T
- IXTH98N20T Supplier
- IXYS Distributor
- IXTH98N20T Price
- IXTH98N20T Distributor
IXTH98N20T Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 98A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 (IXTH) |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11.8A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 98mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 5V Vgs (massimo) ±10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 706pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 37W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8 Pacchetto / Custodia SC-100, SOT-669 |
Produttore Serie NexFET™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 34A (Ta), 100A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 4.5V Vgs (massimo) +16V, -12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3650pF @ 12.5V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.2W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-VSON-CLIP (5x6) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
Produttore Infineon Technologies Serie SIPMOS® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14.5A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 9A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1120pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 95W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB) Pacchetto / Custodia TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Produttore ON Semiconductor Serie PowerTrench® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 12.4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 13.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±12V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4299pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Produttore NXP USA Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.3A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 32mOhm @ 3.3A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 270µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 470pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 380mW (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore TO-236AB (SOT23) Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
