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IXSN50N60BD2

IXSN50N60BD2

Solo per riferimento

Numero parte IXSN50N60BD2
PNEDA Part # IXSN50N60BD2
Descrizione IGBT 75A 600V SOT-227B
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.606
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXSN50N60BD2 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXSN50N60BD2
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
IXSN50N60BD2, IXSN50N60BD2 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 134,76 KB)
PDFIXSN50N60BD3 Datasheet Copertura
IXSN50N60BD3 Datasheet Pagina 2 IXSN50N60BD3 Datasheet Pagina 3 IXSN50N60BD3 Datasheet Pagina 4 IXSN50N60BD3 Datasheet Pagina 5

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IXSN50N60BD2 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)75A
Potenza - Max250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)350µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce3.85nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227B

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5.7A

Potenza - Max

23W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.93V @ 15V, 3A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

0.45nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

IMS-2

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Microsemi

Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

75A

Potenza - Max

270W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

FZ1000R12KF5NOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

225A

Potenza - Max

675W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1.8mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

E3

Pacchetto dispositivo fornitore

E3

APTGT600SK60G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

700A

Potenza - Max

2300W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 600A

Corrente - Taglio collettore (Max)

750µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

49nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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