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IXSK40N60BD1

IXSK40N60BD1

Solo per riferimento

Numero parte IXSK40N60BD1
PNEDA Part # IXSK40N60BD1
Descrizione IGBT 600V 75A 280W TO264
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.812
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
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IXSK40N60BD1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXSK40N60BD1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXSK40N60BD1, IXSK40N60BD1 Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 46,79 KB)
PDFIXSX40N60BD1 Datasheet Copertura
IXSX40N60BD1 Datasheet Pagina 2

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IXSK40N60BD1 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)75A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 40A
Potenza - Max280W
Switching Energy1.8mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge190nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C50ns/110ns
Condizione di test480V, 40A, 2.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)35ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-264-3, TO-264AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-264AA(IXSK)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

390V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

46A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 4V, 10A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

32nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/10.8µs

Condizione di test

300V, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263AB

RJH60V2BDPE-00#J3

Renesas Electronics America

Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

25A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 12A

Potenza - Max

63W

Switching Energy

30µJ (on), 180µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

32nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

33ns/65ns

Condizione di test

300V, 12A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-83

Pacchetto dispositivo fornitore

4-LDPAK

SGP15N60RUFTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

24A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

45A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 15A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

320µJ (on), 356µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

42nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/44ns

Condizione di test

300V, 15A, 13Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

IRG6S320UTRLPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

330V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 24A

Potenza - Max

114W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

46nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/89ns

Condizione di test

196V, 12A, 10Ohm

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Produttore

IXYS

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 24A

Potenza - Max

190W

Switching Energy

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Gate Charge

66nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

13ns/110ns

Condizione di test

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