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IXGT4N250C

IXGT4N250C

Solo per riferimento

Numero parte IXGT4N250C
PNEDA Part # IXGT4N250C
Descrizione IGBT 2500V 13A 150W TO268
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.550
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 26 - mag 31 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGT4N250C Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGT4N250C
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGT4N250C, IXGT4N250C Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 158,23 KB)
PDFIXGT4N250C Datasheet Copertura
IXGT4N250C Datasheet Pagina 2 IXGT4N250C Datasheet Pagina 3 IXGT4N250C Datasheet Pagina 4

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IXGT4N250C Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)2500V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)13A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)46A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic6V @ 15V, 4A
Potenza - Max150W
Switching Energy360µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge57nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-/350ns
Condizione di test1250V, 4A, 20Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

88A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

Potenza - Max

500W

Switching Energy

1.38mJ (on), 906µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

210nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

22ns/163ns

Condizione di test

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

IRGBC40S

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 31A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

16A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 8A

Potenza - Max

94W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

21nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

13ns/33ns

Condizione di test

400V, 8A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252

IRGR4607DPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

11A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

12A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 4A

Potenza - Max

58W

Switching Energy

140µJ (on), 62µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

9nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

27ns/120ns

Condizione di test

400V, 4A, 100Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

48ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

D-Pak

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 35A

Potenza - Max

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Tipo di ingresso

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Gate Charge

150nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

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Temperatura di esercizio

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