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IXGT40N120B2D1

IXGT40N120B2D1

Solo per riferimento

Numero parte IXGT40N120B2D1
PNEDA Part # IXGT40N120B2D1
Descrizione IGBT 1200V 75A 380W TO268
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.374
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata apr 30 - mag 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGT40N120B2D1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGT40N120B2D1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGT40N120B2D1, IXGT40N120B2D1 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 215,25 KB)
PDFIXGT40N120B2D1 Datasheet Copertura
IXGT40N120B2D1 Datasheet Pagina 2 IXGT40N120B2D1 Datasheet Pagina 3 IXGT40N120B2D1 Datasheet Pagina 4 IXGT40N120B2D1 Datasheet Pagina 5 IXGT40N120B2D1 Datasheet Pagina 6 IXGT40N120B2D1 Datasheet Pagina 7

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IXGT40N120B2D1 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)75A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 40A
Potenza - Max380W
Switching Energy4.5mJ (on), 3mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge138nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C21ns/290ns
Condizione di test960V, 40A, 2Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)100ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

Potenza - Max

310W

Switching Energy

4.8mJ (on), 1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

200nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/170ns

Condizione di test

600V, 25A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

350ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 20A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

105nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.35µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 15A

Potenza - Max

278W

Switching Energy

360µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/130ns

Condizione di test

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

15A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.75V @ 15V, 3A

Potenza - Max

65W

Switching Energy

55µJ (on), 85µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

19nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/72ns

Condizione di test

390V, 3A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

23.5ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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65A

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

TO-247-3

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