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IXGT32N90B2D1

IXGT32N90B2D1

Solo per riferimento

Numero parte IXGT32N90B2D1
PNEDA Part # IXGT32N90B2D1
Descrizione IGBT 900V 64A 300W TO268
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.520
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 29 - giu 3 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGT32N90B2D1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGT32N90B2D1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGT32N90B2D1, IXGT32N90B2D1 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 219,86 KB)
PDFIXGT32N90B2D1 Datasheet Copertura
IXGT32N90B2D1 Datasheet Pagina 2 IXGT32N90B2D1 Datasheet Pagina 3 IXGT32N90B2D1 Datasheet Pagina 4 IXGT32N90B2D1 Datasheet Pagina 5 IXGT32N90B2D1 Datasheet Pagina 6 IXGT32N90B2D1 Datasheet Pagina 7

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IXGT32N90B2D1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)900V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)64A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 32A
Potenza - Max300W
Switching Energy2.2mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge89nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C20ns/260ns
Condizione di test720V, 32A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)190ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

HB

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

260W

Switching Energy

151µJ (on), 293µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

149nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

37ns/146ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

72A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

216A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 27A

Potenza - Max

500W

Switching Energy

2.2mJ (on), 2.3mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

270nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/195ns

Condizione di test

960V, 27A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

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Produttore

Renesas Electronics America

Serie

-

Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

35A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 17A

Potenza - Max

113W

Switching Energy

290µJ (on), 290µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

60nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

38ns/90ns

Condizione di test

300V, 17A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

90ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-83

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

109A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Potenza - Max

290W

Switching Energy

307µJ (on), 254µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

102nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/122ns

Condizione di test

400V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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