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IXGT20N60BD1

IXGT20N60BD1

Solo per riferimento

Numero parte IXGT20N60BD1
PNEDA Part # IXGT20N60BD1
Descrizione IGBT 600V 40A 150W TO268
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.040
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 21 - mag 26 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGT20N60BD1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGT20N60BD1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGT20N60BD1, IXGT20N60BD1 Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 54,26 KB)
PDFIXGT20N60BD1 Datasheet Copertura
IXGT20N60BD1 Datasheet Pagina 2

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IXGT20N60BD1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)40A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 20A
Potenza - Max150W
Switching Energy700µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge55nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C15ns/110ns
Condizione di test480V, 20A, 10Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)25ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-268

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 30A

Potenza - Max

58W

Switching Energy

151µJ (on), 293µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

149nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

37ns/146ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3PFM, SC-93-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PF-3

Produttore

IXYS

Serie

XPT™, GenX3™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

33A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 24A

Potenza - Max

90W

Switching Energy

550µJ (on), 800µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

39nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

23ns/150ns

Condizione di test

400V, 24A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

36ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3 Full Pack

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3P

NGD8205NT4G

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

390V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/5µs

Condizione di test

300V, 9A, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

STGB3NB60KDT4

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Potenza - Max

50W

Switching Energy

30µJ (on), 58µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

14nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

14ns/33ns

Condizione di test

480V, 3A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

45ns

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

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Gate Charge

470nC

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36ns/275ns

Condizione di test

600V, 100A, 2Ohm, 15V

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