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IXGR55N120A3H1

IXGR55N120A3H1

Solo per riferimento

Numero parte IXGR55N120A3H1
PNEDA Part # IXGR55N120A3H1
Descrizione IGBT 1200V 70A 200W ISOPLUS247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.034
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 10 - giu 15 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGR55N120A3H1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGR55N120A3H1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGR55N120A3H1, IXGR55N120A3H1 Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 95,88 KB)
PDFIXGR55N120A3H1 Datasheet Copertura
IXGR55N120A3H1 Datasheet Pagina 2

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IXGR55N120A3H1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieGenX3™
Tipo IGBTPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)70A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)330A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.35V @ 15V, 55A
Potenza - Max200W
Switching Energy5.1mJ (on), 13.3mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge185nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C23ns/365ns
Condizione di test960V, 55A, 3Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)200ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS247™

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Corrente - Collettore (Ic) (Max)

10A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4V, 6A

Potenza - Max

130W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

12nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/3.64µs

Condizione di test

300V, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Global Power Technologies Group

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Potenza - Max

223W

Switching Energy

2.8mJ (on), 480µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

210nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

30ns/150ns

Condizione di test

600V, 20A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

425ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PN

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

45A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 15A

Potenza - Max

216W

Switching Energy

1mJ (on), 600µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

135nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/240ns

Condizione di test

600V, 15A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

120ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

320A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

420nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/360ns

Condizione di test

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

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