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IXGQ90N27PB

IXGQ90N27PB

Solo per riferimento

Numero parte IXGQ90N27PB
PNEDA Part # IXGQ90N27PB
Descrizione IGBT 270V 90A 150W TO3P
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.418
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGQ90N27PB Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGQ90N27PB
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGQ90N27PB, IXGQ90N27PB Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 111,24 KB)
PDFIXGQ90N27PB Datasheet Copertura
IXGQ90N27PB Datasheet Pagina 2 IXGQ90N27PB Datasheet Pagina 3 IXGQ90N27PB Datasheet Pagina 4 IXGQ90N27PB Datasheet Pagina 5

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IXGQ90N27PB Specifiche

ProduttoreIXYS
SeriePolar™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)270V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)90A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
Potenza - Max150W
Switching Energy-
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge79nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C-
Condizione di test-
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

52A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 15A

Potenza - Max

198W

Switching Energy

1.9mJ

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

130nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/580ns

Condizione di test

800V, 15A, 33Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

Produttore

IXYS

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

330V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

APT40GP60SG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

Potenza - Max

543W

Switching Energy

385µJ (on), 352µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

135nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

20ns/64ns

Condizione di test

400V, 40A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Pacchetto dispositivo fornitore

D3 [S]

STGP3NC120HD

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

14A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

20A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

Potenza - Max

75W

Switching Energy

236µJ (on), 290µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

24nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

15ns/118ns

Condizione di test

800V, 3A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

51ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220

IKP30N65H5XKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

Trench

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

55A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

Potenza - Max

188W

Switching Energy

280µJ (on), 100µJ (off)

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51ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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