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IXGP2N100A

IXGP2N100A

Solo per riferimento

Numero parte IXGP2N100A
PNEDA Part # IXGP2N100A
Descrizione IGBT 1000V 4A 25W TO220AB
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.598
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGP2N100A Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGP2N100A
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGP2N100A, IXGP2N100A Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 85,86 KB)
PDFIXGP2N100A Datasheet Copertura
IXGP2N100A Datasheet Pagina 2

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IXGP2N100A Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1000V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)4A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)8A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 2A
Potenza - Max25W
Switching Energy260µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge7.8nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C15ns/300ns
Condizione di test800V, 2A, 150Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220AB

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

140A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

300A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 75A

Potenza - Max

455W

Switching Energy

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

210nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

50ns/200ns

Condizione di test

400V, 75A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

170ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247AC

APT13GP120BG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

41A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

50A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 13A

Potenza - Max

250W

Switching Energy

115µJ (on), 165µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

55nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

9ns/28ns

Condizione di test

600V, 13A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247 [B]

STGD10NC60HT4

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Potenza - Max

60W

Switching Energy

31.8µJ (on), 95µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

19.2nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

14.2ns/72ns

Condizione di test

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

IXYP8N90C3

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

GenX3™, XPT™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

48A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 8A

Potenza - Max

125W

Switching Energy

460µJ (on), 180µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

13.3nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

16ns/40ns

Condizione di test

450V, 8A, 30Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

IRG4PC50FPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

70A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

280A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

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Potenza - Max

200W

Switching Energy

370µJ (on), 2.1mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

190nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

31ns/240ns

Condizione di test

480V, 39A, 5Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

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