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IXGK50N60B

IXGK50N60B

Solo per riferimento

Numero parte IXGK50N60B
PNEDA Part # IXGK50N60B
Descrizione IGBT 600V 75A 300W TO264
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.434
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 3 - mag 8 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGK50N60B Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGK50N60B
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGK50N60B, IXGK50N60B Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 182,81 KB)
PDFIXGT50N60B Datasheet Copertura
IXGT50N60B Datasheet Pagina 2 IXGT50N60B Datasheet Pagina 3 IXGT50N60B Datasheet Pagina 4

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IXGK50N60B Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)75A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)200A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 50A
Potenza - Max300W
Switching Energy3mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge160nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C50ns/150ns
Condizione di test480V, 50A, 2.7Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-264-3, TO-264AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-264 (IXGK)

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

225A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 75A

Potenza - Max

750W

Switching Energy

2.3mJ (on), 770µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

248nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/136ns

Condizione di test

400V, 75A, 3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

55ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3 Variant

Pacchetto dispositivo fornitore

PowerTO-247-3

IRG4BC30F-STRLP

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

31A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

230µJ (on), 1.18mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

51nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

21ns/200ns

Condizione di test

480V, 17A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Potenza - Max

290W

Switching Energy

1.19mJ (on), 460µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

120nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

24ns/112ns

Condizione di test

400V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

45ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-3

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

60A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

220µJ (on), 330µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

100nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

31ns/100ns

Condizione di test

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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