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IXGK35N120CD1

IXGK35N120CD1

Solo per riferimento

Numero parte IXGK35N120CD1
PNEDA Part # IXGK35N120CD1
Descrizione IGBT 1200V 70A 350W PLUS247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.884
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 15 - giu 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGK35N120CD1 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGK35N120CD1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGK35N120CD1, IXGK35N120CD1 Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 41,96 KB)
PDFIXGX35N120CD1 Datasheet Copertura
IXGX35N120CD1 Datasheet Pagina 2

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IXGK35N120CD1 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)70A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)140A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic4V @ 15V, 35A
Potenza - Max350W
Switching Energy3mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge170nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C50ns/150ns
Condizione di test960V, 35A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)60ns
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-264-3, TO-264AA
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-264 (IXGK)

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Serie

-

Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

51A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 28A

Potenza - Max

200W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

12-SIP

Pacchetto dispositivo fornitore

12-SIP w/fin

SGP23N60UFTU

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

23A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 12A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

115µJ (on), 135µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

17ns/60ns

Condizione di test

300V, 12A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

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IXYS

Produttore

IXYS

Serie

BIMOSFET™

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

3000V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 12A

Potenza - Max

160W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

62nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

1.4µs

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo IGBT

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Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

6.2A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

9.6A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 2A

Potenza - Max

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Gate Charge

11nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

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Condizione di test

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Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

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