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IXGH24N170

IXGH24N170

Solo per riferimento

Numero parte IXGH24N170
PNEDA Part # IXGH24N170
Descrizione IGBT 1700V 50A 250W TO247AD
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.742
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 5 - lug 10 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGH24N170 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGH24N170
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGH24N170, IXGH24N170 Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 115,48 KB)
PDFIXGH24N170 Datasheet Copertura
IXGH24N170 Datasheet Pagina 2

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IXGH24N170 Specifiche

ProduttoreIXYS
Serie-
Tipo IGBTNPT
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)50A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.3V @ 15V, 24A
Potenza - Max250W
Switching Energy8mJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge106nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C42ns/200ns
Condizione di test1360V, 50A, 5Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247AD (IXGH)

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

650V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

56A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 30A

Potenza - Max

223W

Switching Energy

660µJ (on), 810µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

36nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

28ns/104ns

Condizione di test

400V, 30A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247N

IRG7PK42UD1-EPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

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Serie

POWER MOS 8™

Tipo IGBT

PT

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

900V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

145A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

239A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 47A

Potenza - Max

625W

Switching Energy

1652µJ (on), 1389µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

200nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/149ns

Condizione di test

600V, 47A, 4.7Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

25ns

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-264-3, TO-264AA

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-264

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STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

Potenza - Max

468W

Switching Energy

1mJ (on), 1.32mJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

158nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

18ns/152ns

Condizione di test

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

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Gate Charge

49nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

23ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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