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IXGC12N60C

IXGC12N60C

Solo per riferimento

Numero parte IXGC12N60C
PNEDA Part # IXGC12N60C
Descrizione IGBT 600V 15A 85W ISOPLUS220
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.490
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXGC12N60C Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXGC12N60C
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Singolo
Datasheet
IXGC12N60C, IXGC12N60C Datasheet (Totale pagine: 2, Dimensioni: 543,21 KB)
PDFIXGC12N60CD1 Datasheet Copertura
IXGC12N60CD1 Datasheet Pagina 2

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IXGC12N60C Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFAST™
Tipo IGBT-
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)600V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)15A
Corrente - Collettore Pulsato (Icm)48A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A
Potenza - Max85W
Switching Energy90µJ (off)
Tipo di ingressoStandard
Gate Charge32nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C20ns/60ns
Condizione di test480V, 12A, 18Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)-
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaISOPLUS220™
Pacchetto dispositivo fornitoreISOPLUS220™

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

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Tipo IGBT

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1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

160A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Potenza - Max

357W

Switching Energy

1.96mJ (on), 540µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

341nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

65ns/308ns

Condizione di test

600V, 40A, 10Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

100ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

FGB3236-F085

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

360V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

44A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 4V, 6A

Potenza - Max

187W

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

Logic

Gate Charge

20nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-/5.4µs

Condizione di test

300V, 1kOhm, 5V

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263

NGTB20N120IHTG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Potenza - Max

-

Switching Energy

-

Tipo di ingresso

-

Gate Charge

-

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

-

Condizione di test

-

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

IRG4PC30KDPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

28A

Corrente - Collettore Pulsato (Icm)

58A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 16A

Potenza - Max

100W

Switching Energy

600µJ (on), 580µJ (off)

Tipo di ingresso

Standard

Gate Charge

67nC

Td (acceso / spento) @ 25 ° C

60ns/160ns

Condizione di test

480V, 16A, 23Ohm, 15V

Tempo di recupero inverso (trr)

42ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Tipo IGBT

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

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