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IXFX15N100

IXFX15N100

Solo per riferimento

Numero parte IXFX15N100
PNEDA Part # IXFX15N100
Descrizione MOSFET N-CH 1KV 15A PLUS247
Produttore IXYS
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.730
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 17 - lug 22 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXFX15N100 Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXFX15N100
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IXFX15N100, IXFX15N100 Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 622,25 KB)
PDFIXFX14N100 Datasheet Copertura
IXFX14N100 Datasheet Pagina 2 IXFX14N100 Datasheet Pagina 3 IXFX14N100 Datasheet Pagina 4

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IXFX15N100 Specifiche

ProduttoreIXYS
SerieHiPerFET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C15A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs220nC @ 10V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4500pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)360W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitorePLUS247™-3
Pacchetto / CustodiaTO-247-3

I prodotti a cui potresti essere interessato

Produttore

IXYS

Serie

GigaMOS™, TrenchT2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

600A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.05mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

590nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

40000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

940W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-227B

Pacchetto / Custodia

SOT-227-4, miniBLOC

IPD60R2K0C6ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ C6

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 760mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 60µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

22.3W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252-3

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

FDP2D3N10C

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

222A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 700µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

11180pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

214W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

STW65N65DM2AG

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5500pF @ 100V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

446W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247

Pacchetto / Custodia

TO-247-3

Produttore

IXYS

Serie

TrenchMV™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

85V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

70A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13.5mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

59nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2570pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

176W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-263 (IXTA)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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