IXFT12N100F
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Numero parte | IXFT12N100F |
PNEDA Part # | IXFT12N100F |
Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 |
Produttore | IXYS-RF |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 6.384 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | mar 31 - apr 5 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXFT12N100F Risorse
Brand | IXYS-RF |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | IXFT12N100F |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
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IXFT12N100F Specifiche
Produttore | IXYS-RF |
Serie | HiPerRF™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05Ohm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 77nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-268 (IXFT) |
Pacchetto / Custodia | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
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