IXFR14N100Q2
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| Numero parte | IXFR14N100Q2 |
| PNEDA Part # | IXFR14N100Q2 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1KV 9.5A ISOPLUS247 |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.200 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 18 - giu 23 (Scegli Spedizione rapida) |
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IXFR14N100Q2 Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXFR14N100Q2 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IXFR14N100Q2 Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1000V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.5A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 200W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOPLUS247™ |
| Pacchetto / Custodia | ISOPLUS247™ |
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