IXFP14N85X
Solo per riferimento
| Numero parte | IXFP14N85X |
| PNEDA Part # | IXFP14N85X |
| Descrizione | MOSFET N-CH 850V 14A TO220AB |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.008 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
IXFP14N85X Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | IXFP14N85X |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- IXFP14N85X Datasheet
- where to find IXFP14N85X
- IXYS
- IXYS IXFP14N85X
- IXFP14N85X PDF Datasheet
- IXFP14N85X Stock
- IXFP14N85X Pinout
- Datasheet IXFP14N85X
- IXFP14N85X Supplier
- IXYS Distributor
- IXFP14N85X Price
- IXFP14N85X Distributor
IXFP14N85X Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | HiPerFET™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 850V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1043pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 460W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB (IXFP) |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ON Semiconductor Serie QFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 280mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore D-Pak Pacchetto / Custodia TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Produttore Infineon Technologies Serie HEXFET® Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±16V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2020pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 41W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ SC Pacchetto / Custodia DirectFET™ Isometric SC |
Produttore Infineon Technologies Serie OptiMOS™ Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 25V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.9mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 5V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3110pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 94W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3 Pacchetto / Custodia TO-220-3 |
Produttore Sanken Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 200V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 45A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) ±30V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto dispositivo fornitore TO-220 Pacchetto / Custodia TO-220-3 Full Pack |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 20V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3.7W (Ta), 83W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN |
