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IXFN56N90P

IXFN56N90P

Solo per riferimento

Numero parte IXFN56N90P
PNEDA Part # IXFN56N90P
Descrizione MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Produttore IXYS
Prezzo unitario
1 ---------- $631,9665
50 ---------- $602,3430
100 ---------- $572,7196
200 ---------- $543,0962
400 ---------- $518,4100
500 ---------- $493,7238
Disponibile 5.971
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IXFN56N90P Risorse

Brand IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIXFN56N90P
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
IXFN56N90P, IXFN56N90P Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 109,66 KB)
PDFIXFN56N90P Datasheet Copertura
IXFN56N90P Datasheet Pagina 2 IXFN56N90P Datasheet Pagina 3 IXFN56N90P Datasheet Pagina 4

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  • IXFN56N90P Distributor

IXFN56N90P Specifiche

ProduttoreIXYS
SeriePolar™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C56A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs135mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id6.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs375nC @ 10V
Vgs (massimo)±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds23000pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)1000W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-227B
Pacchetto / CustodiaSOT-227-4, miniBLOC

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

45A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4369pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±12V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1456pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1.6W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SuperSOT™-6

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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Produttore

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Serie

SDMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.5A (Ta), 5.5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

310mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

185pF @ 50V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 17W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (3x3)

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

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Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.2A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

820mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 310µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 300V

Funzione FET

Super Junction

Dissipazione di potenza (max)

60W (Tc)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

200mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

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Dissipazione di potenza (max)

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Pacchetto dispositivo fornitore

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