IXFN50N120SK
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| Numero parte | IXFN50N120SK |
| PNEDA Part # | IXFN50N120SK |
| Descrizione | MOSFET N-CH |
| Produttore | IXYS |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.312 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXFN50N120SK Risorse
| Brand | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | IXFN50N120SK |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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IXFN50N120SK Specifiche
| Produttore | IXYS |
| Serie | - |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 48A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 20V |
| Vgs (massimo) | +20V, -5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1895pF @ 1000V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
| Pacchetto / Custodia | SOT-227-4, miniBLOC |
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